2025年第三届光刻材料与技术讨论会

中国感光学会第三届光刻材料与技术讨论会定于2025年11月21-23日（21日报到）在北京召开，此次会议旨在汇集国内外相关领域的专家学者和技术人员，共同探讨光刻材料与技术的最新进展和发展趋势，加强在光刻材料与技术研究同应用领域的学术交流，促进我国相关材料和技术的发展。

会议顾问：

洪啸吟、陈宝钦、彭孝军

会议主席：

杨国强、韦亚一、孟永钢、康劲、姚树歆、李嫕

以下内容为GPT视角对光刻材料与技术讨论会相关领域的研究解读，仅供参考：

光刻材料与技术研究现状

一、技术发展现状

光刻材料市场规模持续扩张

境内光刻材料市场规模从2019年的53.7亿元增长至2023年的121.9亿元，年复合增长率达22.7%。预计2028年将增至319.2亿元，年复合增长率21.2%。2025年全球光刻材料收入预计增长7%，达到50.6亿美元，其中EUV光刻胶需求同比增长30%，成为主要增长驱动力。

技术分层突破显著

EUV光刻胶：我国首个EUV光刻胶标准《极紫外(EUV)光刻胶测试方法》于2025年10月立项，填补国内技术标准空白。南开大学、华东理工大学等高校在氧化钛团簇光刻材料、非晶态沸石咪唑酯骨架薄膜等领域取得突破，为EUV光刻胶研发奠定基础。

ArF/KrF光刻胶：国内企业已实现量产突破。南大光电成为国内唯一实现ArF光刻胶（28nm制程）量产的企业，2025年产能预计达500吨，良率突破90%；彤程新材旗下科华微电子在KrF光刻胶国内市场份额超40%，2025年上半年半导体光刻胶业务收入同比增长超50%。

g/i线光刻胶：晶瑞电材、苏州瑞红等企业技术成熟，占据国内30%市场份额，并逐步向高端制程延伸。

配套材料自主可控

光刻胶树脂、显影液、电子特气等配套材料实现全链条突破。雅克科技光刻胶树脂纯度突破99.9%，华懋科技光刻胶专用树脂量产，圣泉集团线性酚醛树脂杂质控制达PPB级，适配KrF/ArF光刻胶生产。

二、国产化进程与挑战

国产化率稳步提升

半导体光刻胶国产化率突破30%，ArF/KrF光刻胶国产化率从2021年的1%提升至2025年的超30%。

PCB光刻胶国产化率达50%，显示光刻胶领域飞凯材料、彤程新材等企业市占率稳步提升。

高端领域仍存瓶颈

EUV光刻胶完全被日本JSR、东京应化等企业垄断，国内研发处于起步阶段，国产化率为零。

先进制程（如7nm以下）光刻胶性能、稳定性与国外产品存在差距，车规级认证壁垒高，设备-材料一体化生态尚未完善。

政策与资本双重驱动

国家出台《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024年版)》《“十四五”原材料工业发展规划》等政策，支持光刻材料研发。

2025年行业平均研发支出达15%，容大感光、南大光电等企业持续加大投入，推动技术迭代。

三、未来发展趋势

技术迭代加速

EUV光刻胶研发成为竞争焦点，DSA光刻工艺（使用单一组分嵌段共聚物）有望简化生产工艺，缩短研发周期。

高分辨率、低缺陷率光刻材料成为研发重点，适配3D NAND、FinFET结构等先进制程需求。

产业链协同深化

设备-材料一体化生态构建加速，光刻机与光刻胶协同优化成为关键。

封装工艺创新推动光刻材料应用拓展，如再布线层、穿透硅通孔等场景对高深宽比光刻胶的需求增长。

市场格局重塑

全球光刻胶市场进入结构性增长阶段，EUV光刻胶年复合增长率达35%，远超ArF/KrF等成熟产品。

美国关税政策或推动日系大厂赴美设厂，国内企业需加快技术突破以应对国际竞争。

四、核心企业竞争力分析

企业名称	核心优势	2025年进展
南大光电	国内唯一ArF光刻胶量产企业，良率超90%	产能达500吨，客户覆盖中芯国际、长江存储，目标市占率突破20%
彤程新材	KrF光刻胶国内市占率超40%，高分辨I线光刻胶全链路国产化	半导体光刻胶业务收入同比增长超50%，高端产能快速释放
晶瑞电材	g/i线光刻胶技术领先，KrF光刻胶通过逻辑芯片厂验证	新增5万吨半导体级光刻胶项目投产，车规级认证构筑竞争壁垒
华懋科技	掌握80%光刻胶单体技术，ArF光刻胶研发进度领先	光刻胶材料收入预计增长200%，营收占比超50%
上海新阳	全品类光刻胶覆盖，自研193nm ArF胶通过验证	晶圆制造材料平台初具规模，配套试剂形成技术协同优势

光刻材料与技术研究可以应用在哪些行业或产业领域

一、半导体制造：核心应用领域

集成电路（IC）生产

逻辑芯片：用于7nm及以下先进制程的CPU、GPU、AI芯片制造，依赖EUV光刻胶实现高精度图案化。

存储芯片：3D NAND闪存堆叠层数突破300层，需高深宽比光刻胶实现垂直结构刻蚀；DRAM芯片通过极紫外光刻（EUV）提升位密度。

功率半导体：SiC/GaN宽禁带器件制造中，光刻技术用于定义精密电极结构，提升器件耐压与效率。

先进封装

再布线层（RDL）：光刻胶用于扇出型封装（Fan-Out）中的金属线定义，实现芯片与基板的高密度互连。

穿透硅通孔（TSV）：通过深反应离子刻蚀（DRIE）配合光刻胶，构建垂直互连通道，提升3D封装集成度。

系统级封装（SiP）：光刻材料支持多芯片异构集成，满足5G基站、自动驾驶域控制器等场景需求。

二、显示面板产业：从LCD到OLED的升级

TFT-LCD面板

阵列基板制造：光刻胶用于定义薄膜晶体管（TFT）的栅极、源漏极及像素电极，分辨率提升至8K需更高精度光刻材料。

彩色滤光片（CF）：光刻工艺实现红、绿、蓝三色像素的精确对齐，提升色域与对比度。

OLED显示

柔性基板加工：光刻胶用于低温多晶硅（LTPS）TFT背板制造，支撑可折叠屏幕的弯曲需求。

蒸镀掩膜版：高精度光刻胶定义金属掩膜版开口，实现有机发光材料的精确沉积。

三、微电子机械系统（MEMS）：物联网与传感器的基石

传感器制造

压力传感器：光刻工艺定义硅膜片的应变电阻结构，提升测量精度。

惯性传感器：MEMS加速度计、陀螺仪中，光刻胶用于刻蚀微机械结构，实现高灵敏度运动检测。

射频器件

滤波器：声表面波（SAW）和体声波（BAW）滤波器制造中，光刻技术定义叉指换能器（IDT）电极，支撑5G通信频段扩展。

射频开关：光刻胶用于GaN HEMT器件的栅极定义，降低导通电阻与插损。

四、光电子器件：通信与能源的创新

光通信模块

硅光芯片：光刻工艺实现波导、光栅耦合器的纳米级结构，提升数据中心光模块的集成度与能效。

激光器：分布式反馈（DFB）激光器制造中，光刻胶用于定义光栅周期，实现单模输出与波长稳定。

光伏领域

异质结电池（HJT）：光刻技术用于定义非晶硅/晶体硅异质结的掺杂区域，提升光电转换效率。

钙钛矿电池：光刻胶实现叠层电池的子电池界面优化，降低复合损失。

五、生物医疗：微纳加工的跨界应用

微流控芯片

光刻工艺制造PDMS或玻璃基底的微通道，用于血液分析、细胞分离等体外诊断（IVD）设备。

器官芯片：通过光刻定义细胞培养腔室与流体通道，模拟人体器官微环境。

植入式医疗器械

神经电极：光刻胶用于铂铱合金电极的微纳结构加工，提升脑机接口的信号采集精度。

药物缓释系统：光刻技术制造聚合物微球的孔隙结构，控制药物释放速率。

六、汽车电子：智能化与电动化的驱动

功率半导体

SiC MOSFET：光刻工艺定义沟槽栅结构，降低导通电阻与开关损耗，支撑800V高压平台。

IGBT模块：光刻胶用于厚铜层刻蚀，提升散热性能与可靠性。

传感器融合

激光雷达（LiDAR）：光刻技术制造VCSEL阵列与SPAD接收器，实现高分辨率环境感知。

摄像头模组：光刻工艺定义CMOS图像传感器的像素结构，提升暗光成像能力。

七、航空航天与国防：高可靠性的需求

红外探测器

光刻工艺制造碲镉汞（HgCdTe）或量子阱红外探测器（QWIP）的像素结构，提升军用夜视设备的灵敏度。

射频前端模块

相控阵雷达：光刻技术定义T/R组件的微带线与滤波器，实现波束快速扫描与抗干扰能力。

八、新兴领域：量子计算与光子集成

量子芯片

光刻工艺制造超导量子比特（Transmon）的约瑟夫森结，支撑量子计算机的纠错编码。

光子集成电路（PIC）

光刻技术实现硅基光子芯片的波导、调制器与探测器集成，推动数据中心光互连与量子通信发展。

技术延伸与产业协同

材料创新：光刻胶向高分辨率（<10nm）、低缺陷率、环保型（无PFA）方向发展，适配EUV、DSA（定向自组装）等新工艺。

设备联动：光刻机与光刻材料的协同优化成为关键，如ASML的EUV光刻机需配套JSR的化学放大光刻胶（CAR）。

跨界融合：生物光刻、3D打印光刻等新兴技术拓展应用边界，形成“材料-工艺-设备-应用”的生态闭环。

光刻材料与技术领域有哪些知名研究机构或企业品牌

一、国内研究机构：技术攻坚的先锋

嘉庚实验室

聚焦半导体芯片制造领域，重点开发高端光刻介质材料及半导体清洗材料，致力于突破国外技术垄断。

甬江实验室

专注于新材料前沿科学的研究，为光刻技术提供基础理论支持，推动材料科学与光刻工艺的深度融合。

集萃光敏电子材料研究所

专研光刻胶原材料、工艺装备及辐射固化技术，构建从材料到设备的完整研发体系。

南开大学材料科学与工程学院

在材料科学领域培养大量专业人才，为光刻材料研发提供智力支持，推动产学研协同创新。

华中科技大学鄂州工研院

朱明强教授团队攻克光刻胶原料与配方难题，研发的T150A系列光刻胶通过量产验证，实现原材料全国产化。

北京大学化学与分子工程学院

彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术，解析光刻胶分子微观结构，开发出减少缺陷的产业化方案。

二、国内企业品牌：产业化的中坚力量

彤程新材

地位：国内光刻胶生产龙头，半导体光刻胶本土供应商第一，液晶正性光刻胶本土供应商第一。

布局：通过收购北京科华（KrF/ArF光刻胶量产）和北旭电子（面板光刻胶龙头），构建全产业链优势。

进展：2025年上半年光刻胶收入近2亿元，KrF/ArF光刻胶已量产，潜江工厂8000吨正性光刻胶投产。

南大光电

地位：国产ArF光刻胶先锋，国内首个通过客户认证的ArF光刻胶企业。

技术：三款ArF光刻胶产品通过验证，适用于90nm至7nm制程，技术参数对标国际水平。

布局：覆盖前驱体、电子特气与光刻胶及配套材料，实现从原材料到产品的自主化。

晶瑞电材

地位：国内历史最悠久的光刻胶供应商，i线光刻胶市占率国内第一。

产品：子公司苏州瑞红在KrF光刻胶领域取得突破，产品覆盖紫外宽谱、g/i线及KrF系列。

客户：稳定供应中芯国际、合肥长鑫等大厂。

上海微电子装备（SMEE）

地位：国内唯一具备前道光刻机生产能力的企业。

技术：SSA600系列覆盖90nm制程，28nm光刻机即将进入商用，双工件台技术实现快速切换。

合作：与茂莱光学等企业建立稳定合作关系，推动光学系统自主可控。

华卓精科

地位：国内唯一实现光刻机双工件台商业化的企业。

技术：打破ASML垄断，运动精度优于2nm，为我国研制65nm至28nm双工作台式光刻机奠定基础。

福晶科技

地位：全球非线性光学晶体龙头，KBBF晶体良率突破90%。

应用：产品间接进入ASML供应链，2025年光刻机镜头收入占比达40%。

三、国际企业品牌：技术标杆与竞争者

ASML（荷兰）

地位：全球光刻机龙头，垄断EUV光刻机市场。

技术：High-NA EUV光刻机EXE:5200B售价超30亿元，交付英特尔。

影响：其技术封锁倒逼中国光刻机产业加速自主创新。

JSR Corporation（日本）

地位：全球光刻胶第一生产商，市占率约13%，半导体光刻胶市场份额约28%。

产品：覆盖G/I线、KrF、ArF（干法/湿法）和EUV光刻胶。

创新：2004年通过ArF沉浸式光刻实现32nm分辨率，引领技术变革。

东京应化（TOK，日本）

地位：全球领先的半导体光刻胶生产商。

产品：覆盖橡胶型负性光刻胶、g线、i线、KrF、ArF、EUV光刻胶。

历史：1968年研发首个环化橡胶系光刻胶，2006年启动ArF浸没光刻胶研发。

四、技术突破与产业趋势

多元化技术路线

纳米压印：杭州璞璘科技推出步进式纳米压印光刻机（PL-SR），线宽精度<10nm，成本仅为EUV的1/10。

电子束光刻：浙江大学研发“羲之”电子束光刻机，精度达0.6nm，适用于特殊场景。

EUV光源：哈工大研发LDP光源系统，功率突破30瓦，为EUV光刻机国产化奠定基础。

产业链协同

材料-设备联动：彤程新材、南大光电等企业通过垂直整合，实现从原材料到光刻胶的自主可控。

产学研合作：嘉庚实验室、南开大学等机构与企业共建研发平台，加速技术转化。

国产化进程

设备：28nm DUV光刻机国产化率突破30%，双工件台、光学镜头等关键部件自给率超50%。

材料：7nm光刻胶通过测试，ArF浸没式光刻胶实现小规模销售。

光刻材料与技术领域有哪些招聘岗位或就业机会

一、研发类岗位

光刻材料研发工程师

职责：负责光刻胶、前驱体材料等关键材料的配方开发与性能优化。

技能要求：材料化学、有机合成背景，熟悉光刻胶成膜、显影等工艺。

代表企业：厦门恒坤新材料科技股份有限公司、彤程新材、南大光电。

薪资范围：硕士学历起薪约15-25K/月，资深专家可达40-60K/月。

光刻工艺研发工程师

职责：开发40/28nm等先进制程的光刻工艺，优化曝光、显影参数。

技能要求：半导体物理、光学背景，熟悉计算光刻（OPC、SMO）技术。

代表企业：上海积塔半导体有限公司、无锡光子芯片联合研究中心。

薪资范围：本科3-5年经验约15-25K/月，博士5年以上经验可达30-50K/月。

二、工艺与设备类岗位

光刻工艺工程师

职责：管理光刻工序，解决晶圆加工中的缺陷问题，提升良率。

技能要求：熟悉DUV/EUV光刻机操作，具备缺陷分析（如SEM、EDX）能力。

代表企业：合肥芯投微电子有限公司、长鑫存储技术有限公司。

薪资范围：本科3-5年经验约15-30K/月，资深经理级可达30-60K/月。

光刻设备工程师

职责：维护光刻机（如ASML的TWINSCAN系列）的硬件与软件系统。

技能要求：机械/电子工程背景，熟悉精密运动控制、真空系统。

代表企业：上海微电子装备（集团）股份有限公司、北京电控集成电路制造有限责任公司。

薪资范围：本科3-5年经验约12-20K/月，资深专家可达30-50K/月。

三、销售与技术支持类岗位

半导体光刻技术销售

职责：推广光刻胶、光刻机等设备材料，提供技术解决方案。

技能要求：半导体行业知识，具备客户沟通与需求分析能力。

代表企业：某知名石化公司、科百特。

薪资范围：经验不限者约12-17K/月，资深销售可达20-40K/月。

FAE技术支持工程师（光刻方向）

职责：为客户提供光刻工艺调试、设备故障排查等现场支持。

技能要求：熟悉光刻机操作，具备快速解决工艺问题的能力。

代表企业：科百特、和泽启元（北京）科技有限公司。

薪资范围：本科经验不限者约15-25K/月。

四、跨学科技术岗位

计算光刻工程师

职责：开发光学临近效应校正（OPC）、光源掩模优化（SMO）算法。

技能要求：数学建模、机器学习背景，熟悉Python/MATLAB。

代表企业：ASML、中科院光机所。

薪资范围：硕士3-5年经验约20-35K/月，博士资深专家可达50-80K/月。

光学/光机设计工程师

职责：设计光刻机光学系统（如投影镜头、照明模组）。

技能要求：光学工程背景，熟悉Zemax、Code V等软件。

代表企业：上海微电子装备（集团）股份有限公司、某上海大型电子公司。

薪资范围：硕士2-5年经验约19-25K/月。

五、新兴领域岗位

微纳光刻技术应用专家

职责：探索光刻技术在MEMS、生物芯片等领域的创新应用。

技能要求：跨学科背景（如生物医学工程、微电子）。

代表企业：武汉华工图像技术开发有限公司。

薪资范围：博士1-3年经验约25-50K/月。

量子计算光刻工程师

职责：开发超导量子比特（Transmon）的微纳加工工艺。

技能要求：量子信息、低温电子学背景。

代表企业：中科院量子信息重点实验室。

薪资范围：博士资深专家可达50-80K/月。